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坂佐井 馨; 片桐 政樹; 藤 健太郎; 高橋 浩之*; 中澤 正治*; 近藤 泰洋*
Applied Physics A, 74(Suppl.1), p.S1589 - S1591, 2002/12
被引用回数:30 パーセンタイル:71.77(Materials Science, Multidisciplinary)パルス中性子の2次元イメージング用蛍光体としてSrBPO:Eu蛍光体の特性を調べた。われわれは本蛍光体が、Gdのような中性子有感物質を添加しなくても、中性子照射後、635nmのレーザー光を照射することによって輝尽性蛍光特性を有することを発見した。単位中性子束あたりの輝尽性蛍光の強度は中性子エネルギーの-0.5乗に比例することがわかった。中性子感度は母体中のホウ素をホウ素-10に濃縮することによって増大することを確認した。線感度と中性子感度の比は市販の中性子イメージングプレートより10倍優れていることも確認した。
阿部 健*; 斎藤 究*; 藤 健太郎; 小嶋 拓治; 酒井 卓郎
JAERI-Review 99-025, TIARA Annual Report 1998, p.103 - 105, 1999/10
イメージングプレート(IP, 組成BaFBr:Eu)を用いてサイクロトロンから得られるイオンビームの線種、エネルギー弁別測定技術を開発するため、輝尽発光のLET特性の機構に関する研究を行った。この結果、IPの励起スペクトル応答における線種・エネルギー依存性が、入射イオンの蛍光体層への侵入深さによるものだけでなく、特に重イオンでは入射イオンのLET効果にもよることが、スペクトル成分の分離解析によりわかった。また、このLET効果は、IP中のBr及びFのFセンターのレベルに相当するスペクトルに現れていることが明らかになった。さらに、1kGy以上の線量域における輝尽発光量の低下は、基材のポリエチレンテレフタレートの劣化でなく、輝尽発光体の損傷によることがわかった。これらにより、IP応答のLET特性及びその機構をほぼ明らかにした。